DDR3 里 REF CA 和VDD之間接電容,有何作用?/PCB上定位孔,如何接地?
2016-11-07 by:CAE仿真在線 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)
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作者:邵鵬、Sandy、vivianwu 、聯(lián)想win 、Nevdia劉旭升、喬健、荊棘鳥(niǎo)、李黎明、沈云峰、joy
Sandy 下午3:46
請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題
Sandy 下午3:46
DDR3 里 REF CA 和VDD之間接電容,有什么用?麻煩大家了
Sandy 下午3:46
win 下午3:50
@Sandy PCB設(shè)計(jì)?這個(gè)不用吧,這個(gè)電壓不是ddr電壓分壓得到嗎
Sandy 下午3:53
@win 是分壓得到的,但通過(guò)電容接VDD這個(gè)電路也有,我還對(duì)比了Jedec上的公版,也有這些電容
vivianwu 下午3:54
vref_ddrca : addresss/ctrl/cmd reference voltage
vivianwu 下午3:55
jedec sch 也有畫(huà)出來(lái)
Sandy 下午3:55
嗯,不理解是啥作用
vivianwu 下午3:56
vref_ddrca : addresss/ctrl/cmd reference voltage
Sandy 下午3:56
vref_ddrca 通過(guò)電容接VDD是啥作用
黃躍輝 下午3:57
是有點(diǎn)奇怪,如果是濾波為什么不直接接地呢
vivianwu 下午3:57
vref_ddrca 通過(guò)電容接VDD是啥作用 這要問(wèn)專業(yè)的 我不是 [流淚]
win 下午3:58
我們沒(méi)接,好像沒(méi)發(fā)現(xiàn)什么問(wèn)題
Sandy 下午3:58
嗯,Memory Down 的圖才能看到,接DDR插槽的看不到這個(gè)電路
PCB-Kevin 下午3:59
哪位有Intel芯片代理商的聯(lián)系方式?求。。。
win 下午3:59
我們不是做memory的
李yongyao 下午4:03
跨接幾個(gè)電容,能保證ref跟隨住vdd
vivianwu 下午4:03
[強(qiáng)]
黃躍輝 下午4:04
醬紫
Sandy 下午4:04
為什么 ref DQ 就沒(méi)有
李yongyao 下午4:06
@Sandy PCB設(shè)計(jì)?這個(gè)問(wèn)題很好,為什么呢?
Sandy 下午4:07
我暈,我覺(jué)的和電壓容限有關(guān)系,但只是我猜的
win 下午4:08
@Sandy PCB設(shè)計(jì)?你說(shuō)的memory down 是什么意思?科普一下
vivianwu 下午4:09
memory on board?
Sandy 下午4:09
是
Sandy 下午4:10
把顆粒直接做到板子上,而不是通過(guò)Solt接,Intel 這么叫
win 下午4:10
噢,我們直接在板上的也沒(méi)有這幾個(gè)電容
win 下午4:11
你這個(gè)圖哪兒來(lái)的?去問(wèn)設(shè)計(jì)人員
Sandy 下午4:11
大師 liyy 已經(jīng)給了答案
win 下午4:12
不明白怎么跟隨法?本來(lái)就是vdd分壓來(lái)的,已經(jīng)跟隨vdd變化了
Sandy 下午4:12
求 liyy 不吝賜教
Sandy 下午4:12
應(yīng)該是指電壓波動(dòng)的時(shí)候
黃躍輝 下午4:13
直流才是電阻分壓,交流就不是了吧
Sandy 下午4:14
不是,應(yīng)該是指VDD波動(dòng)的時(shí)候,ref 跟隨,微小的幅度
Sandy 下午4:14
我猜的
win 下午4:16
電阻分壓,有紋波一樣反應(yīng)到下面的吧?你找個(gè)測(cè)一下就知道了
Sandy 下午4:17
我只是這樣理解的
vivianwu 下午4:18
vivianwu 下午4:19
Understanding DDR3 VrefDQ and VrefCA signal waveform.pdf 三星
Sandy 下午4:19
@vivianwu0317 [強(qiáng)]
黃躍輝 下午4:20
原來(lái)vrefca是以vddq做參考的
塞中 下午4:20
我的電源去耦電容優(yōu)化optimizePI能仿真但沒(méi)結(jié)果錯(cuò)在哪里?
win 下午4:21
去耦就對(duì)了,這個(gè)vrefca參考vdd是怎么來(lái)的
win 下午4:23
@黃躍輝?這句話怎么來(lái)的?芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)?二者參考不同?
塞中 下午4:23
電源平面對(duì)地的去耦
李yongyao 下午4:23
@Sandy PCB設(shè)計(jì)?vivian給出了很好的說(shuō)明。vrefdq和gnd之間也有電容
Sandy 下午4:23
是 Vref DQ是接VSS的
Sandy 下午4:24
多謝vivian
黃躍輝 下午4:24
具體我也不太清楚,但是寫的的確是在vref和相應(yīng)的參考之間加濾波電容
vivianwu 下午4:25
應(yīng)該感謝你 你不問(wèn) 我也不知道 只知道 DDR3 有vreff_ca and vreff_dq 沒(méi)去想用途
黃躍輝 下午4:25
比如Vref DQ的參考室VSS
win 下午4:26
為什么vddca和地之間沒(méi)有加電容
Sandy 下午4:27
@vivianwu0317 我原本以為 SCH錯(cuò)了呢,再對(duì)Jedec才發(fā)現(xiàn)的
win 下午4:28
這個(gè)是不是和芯片內(nèi)部參考面怎么設(shè)計(jì)的有關(guān)
黃躍輝 下午4:28
我覺(jué)得是
黃躍輝 下午4:28
vddca可能是以vddq做參考的
win 下午4:29
dimm卡也有這個(gè)要求的,我知道是去耦,不知道為什么
李yongyao 下午4:29
@win?你說(shuō)的很對(duì)。不是所有的設(shè)計(jì)都需要這樣
win 下午4:30
vivianwu 下午4:31
[強(qiáng)]
win 下午4:31
dimm卡也有這個(gè)要求,我感覺(jué)和芯片內(nèi)部參考面分布來(lái)的
Sandy 下午4:33
是指顆粒內(nèi)部設(shè)計(jì)?
Sandy 下午4:34
DDR 顆粒內(nèi)部 ref 參考哪個(gè)平面,就和哪個(gè)平面退耦?
win 下午4:34
我感覺(jué)是
win 下午4:34
不知道有大牛懂嗎
Sandy 下午4:35
讓我想起部分設(shè)計(jì) CA 是參考 VDD的,而DQ都是VSS
Sandy 下午4:36
@liyy 是指顆粒內(nèi)部參考平面嗎?
李yongyao 下午4:41
和ddr顆粒內(nèi)部參考平面有關(guān)。但更主要的是因?yàn)閏pu內(nèi)部參考平面,ddr顆粒是跟隨cpu走的
win 下午4:46
對(duì),我覺(jué)得這個(gè)應(yīng)該最初出自英特爾,
Colin 下午4:48
@liyy?[強(qiáng)]大師分析的有道理
Sandy 下午4:50
@liyy 哦
Colin 下午4:52
如果芯片內(nèi)部信號(hào)線參考電源 那PCB上最好也參考電源
Sandy 下午4:52
哦
李黎明 下午4:59
還有一個(gè)作用大家沒(méi)談到,電容跨接在兩個(gè)電源平面上,可以為參考這個(gè)平面的信號(hào)線提供最短的回流路徑,這些電容的擺放地點(diǎn)在layout時(shí)須注意!
Sandy 下午5:08
不是指電源平面,是指CA和DQ的參考電壓
Sandy 下午5:08
ref_CA、ref_DQ
win 下午5:12
突然想到另一個(gè)問(wèn)題,cpu那端也有vrefca和vrefdq嗎?cpu那邊應(yīng)該不是分開(kāi)的吧?
nevdie劉旭升 下午9:06
CA參考VDDQ是出于DIMM條考慮,CA信號(hào)處于DIMM條的中間,只有VDDQ pin提供參考。所以INTEL DIMM條的設(shè)計(jì)要求CA參考VDDQ,VDDQ與REFCA間的電容起跟隨作用。DQ信號(hào)參考GND,VREFDQ與GND跨接電容就能起到跟隨作用了。
win 下午9:15
@nevdie劉旭升?非dimm條的設(shè)計(jì)也要這樣做的原因是什么
nevdie劉旭升 下午9:21
on board 我理解如果參考GND,加對(duì)GND的就可以了,但看過(guò)有設(shè)計(jì)是對(duì)GND和VDDQ都同時(shí)加電容的。
win 下午9:24
看樣子又說(shuō)不清了,別人memory on board也是這樣設(shè)計(jì),,,,大家說(shuō)的都有點(diǎn)道理好像
邵鵬 下午10:05
關(guān)于DDR要求CAC參考VDD,DQ參考Gnd,是歷史遺留問(wèn)題。在最初設(shè)計(jì)DDR時(shí)(96年),芯片設(shè)計(jì)能力沒(méi)有現(xiàn)在強(qiáng),為了盡量減少芯片管腳,就強(qiáng)行規(guī)定CAC信號(hào)參考Vdd,這樣有效地減少了Gnd管腳。隨著技術(shù)發(fā)展,芯片封裝尺寸越來(lái)越大,而且芯片內(nèi)部電容也大量增加。實(shí)際上,現(xiàn)在對(duì)CAC信號(hào)要求參考Vdd已經(jīng)沒(méi)有實(shí)際意義,是Intel的設(shè)計(jì)習(xí)慣遺留。所以,現(xiàn)在的設(shè)計(jì)中參考什么都可以。
邵鵬 下午10:08
DDR4里面的VrefDQ和VrefCA又是另外一個(gè)問(wèn)題,是因?yàn)镃AC和DQ信號(hào)的驅(qū)動(dòng)邏輯不一樣。計(jì)劃中等有時(shí)間我會(huì)寫一個(gè)關(guān)于DDR的文章,把關(guān)于DDR設(shè)計(jì)中的一些疑問(wèn)和一些誤解全面解釋一下。
喬健 上午11:50
大俠們,請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題
喬健 上午11:53
PCB上定位孔,直接接到板子上的地好?還是通過(guò)一個(gè)電容單點(diǎn)接地好呢?
胡 上午11:54
這是個(gè)經(jīng)典問(wèn)題,關(guān)注[呲牙]
荊棘鳥(niǎo) 上午11:55
見(jiàn)過(guò)直接的,也講過(guò)串電容的
荊棘鳥(niǎo) 上午11:55
貌似后者好一些
李黎明 下午12:21
@喬健?這個(gè)問(wèn)題不錯(cuò)?你自己有什么看法,還有你產(chǎn)品的使用環(huán)境,要過(guò)的標(biāo)準(zhǔn)是什么?
沈云峰 下午12:24
我遇到串電容輻射超標(biāo)的
沈云峰 下午12:24
后來(lái)沒(méi)辦法,用電阻
喬健 下午12:55
我之前遇到一個(gè)項(xiàng)目,定位孔是懸著的.冬天,手一碰設(shè)備重啟!靜電問(wèn)題
喬健 下午12:56
解決辦法,地和定位空通過(guò)一個(gè)0.1電容連接
喬健 下午12:56
現(xiàn)在的設(shè)計(jì)定位孔全接地
喬健 下午12:57
靜電都能過(guò)~
喬健 下午12:57
但不知道哪種方式更好~沒(méi)找到評(píng)估的好辦法
colordog 下午1:02
我的建議是直接連,但最關(guān)鍵的是保持一致
joy 下午1:04
@喬健?定位孔指的是固定螺釘?shù)目讍?
喬健 下午1:09
@joy?對(duì)
喬健 下午1:10
@joy?有研究過(guò)兩種方式區(qū)別么?
joy 下午1:19
從我們的產(chǎn)品應(yīng)用及EMC考慮,直接接地比較好
joy 下午1:19
但部分通訊的,規(guī)范交通類用的,是需要用電容隔離的
joy 下午1:20
軌道交通
梁駿 下午1:22
我有一個(gè)項(xiàng)目,機(jī)殼地與PCB地不串大電阻會(huì)干擾HDMI,引起電視機(jī)短時(shí)黑屏
joy 下午1:26
你HDMI的外殼是接機(jī)殼地還是PCB的GND,不同產(chǎn)品形態(tài)確實(shí)都有可能有獨(dú)特的情況
李黎明 下午1:35
有個(gè)共性,產(chǎn)品上的地是要接在一起的!在這個(gè)前提條件下,抗靜電,雷擊,防止外部噪聲入侵產(chǎn)品地平面,導(dǎo)致系統(tǒng)噪聲過(guò)大,內(nèi)部接地不好會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品emi輻射嚴(yán)重.
李黎明 下午1:39
有個(gè)極端例子,某通信戶外產(chǎn)品,機(jī)箱上面只有一個(gè)螺絲孔(星月孔)這個(gè)好像被hw申請(qǐng)了專利,接在pcb的pgnd上,并且這顆螺絲的位置是在遠(yuǎn)離最容易尖端放點(diǎn)的位置.
李黎明 下午1:42
如果硬要串分立器件,個(gè)人不建議用電容
荊棘鳥(niǎo) 下午1:46
如何是好?
李黎明 下午1:48
個(gè)人見(jiàn)解,拋磚引玉……
李黎明 下午1:50
喬健 下午1:59
好滴~謝謝
喬健 下午3:14
@joy?軌道交通如果不加電容會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題?
joy 下午3:19
軌道交通,我們?cè)O(shè)備的外殼與列車外殼導(dǎo)通,在列車辮子通電時(shí)(具體術(shù)語(yǔ)忘記了),會(huì)有很大干擾通過(guò)地外殼,這種就有可能影響到設(shè)備內(nèi)部數(shù)字電路。
Kate 下午3:34
@joy?信號(hào)地和外殼地直接分開(kāi)呢?螺絲孔直接用npth這樣。
喬健 下午4:18
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